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丸野 茂光 (マルノ シゲミツ,MARUNO Shigemitsu)

基本情報 研究分野 研究業績

 

報告書等
No.報告書等名(MISCタイトル) URL, 誌名, 巻( 号), 開始ページ- 終了ページ, 出版年月(日) 
1
小中高の理科教育支援授業「熱の伝わり方」 , 工学教育, ,  11- 15, 2011年01月01日 
2
太陽光発電に関する小学校理科実験の出前授業 , 工学教育, ,  11- 15, 2010年06月07日 
3
サブ0.1μmCMOS技術-エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に , 信学技術, ,  65- 72, 2000年01月01日 

 

学術論文
No.論文タイトル(題目) URL, 誌名(出版物名), 巻( 号), 開始ページ- 終了ページ, 出版年月(日), DOI 
1
Isothermal capacitance transient spectroscopy of psueudomorphic high-electron-mobility transistors , Appl. Phys. Lett., 82,  3339- 3341, 2003年05月12日,  
2
Optimization of process conditiuons of selective epitaxial growth for elevated source/drain CMOS transistor , J. Crystal Growth, 243,  87- 93, 2002年01月01日,  
3
A chemical Mechanism for determining the influence of boron on silicon epitaxial growth , Jpn. J. Appl. Phys., 40,  6202- 6207, 2001年11月01日,  
4
Surface defect formation in epitaxial Si growth on Boron-doped substrates by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition , Jpn. J. Appl. Phys., 40,  L1051- L1053, 2001年10月01日,  
5
Junction capacitance reduction due to self-aligned pocket implantation in elevated source/drain MOSFETs , IEEE Trans. Electron Devices, 48,  1969- 1974, 2001年09月01日,  
6
A dual-gate complementary metal-oxide-semiconductor technology with novel self-aligned pocket implantation by taking advantage of elevated source/drain congigurations , Jpn. J. Appl. Phys., 40,  2611- 2615, 2001年04月01日,  
7
Low thermal budget surface cleaning after dry etching for selective silicon epitaxial growth , J. Crystal Growth, 226,  443- 450, 2001年01月01日,  
8
Formation of selective epitaxially grown silicon with a flat edge by ultra-high vacuum chemical vapor deposition , J. Crystal Growth 233, ,  82- 87, 2001年01月01日,  
9
Improvement of alignment tolerance against contact hole etching by growing silicon selective epitaxial layer on hole bottom , Microelectronic Engineering, ,  281- 287, 2001年01月01日,  
10
Selective epitaxial growth by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition with alternating gas , Jpn. J. Appl. Phys., 39,  6139- 6142, 2000年12月01日,  
11
Effects of oxygen vacancy diffusion on leakage characteristics of Pt/(Ba0.5Sr0.5)TiO3/Pt capacitor , Jpn. J. Appl. Phys., 39,  L416- L419, 2000年05月01日,  
12
Parasitic resistance reduction in deep submicron dual-gate transistors with partially elevated source/drain extension regions fabricated by complementary MOS technologies , Jpn. J. Appl. Phys., 39,  387- 389, 2000年02月01日,  
13
Epitaxial Si1-xGex grown into fine contact hole by ultra-vacuum chemical vapor deposition , Materials Science & Engineering, B68,  171- 174, 2000年01月01日,  
14
Gain switching of an asymmetric double quantum well , Appl. Phys. Lett., 57,  2672- 2674, 1999年12月17日,  
15
Significant effects of As ion implantation on Si-selective epitaxy ultrahigh vacuum chemical vapor deposition , Jpn. J. Appl. Phys., 38,  5046- 5047, 1999年09月01日,  
16
Drivability improvement on deep-submicron MOSFETs by elevation of source/drain regions , IEEE Electron Device Lett., ,  366- 368, 1999年07月01日,  
17
Si deposition into fine contact holes by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition , Jpn. J. Appl. Phys., 38,  4045- 4046, 1999年07月01日,  
18
Nanometer fabrication using selective thermal desorption of SiO2 induced by focused electron beams and electron beam interference fringes , J. Vacuum Science and Technology, B16,  2817- 2821, 1998年10月01日,  
19
Model of leagage charcteristics of (Ba, Sr)TiO3 thin films , Appl. Phys. Lett., 73,  954- 956, 1998年06月12日,  
20
Electron-beam-induced selective thermal decomposition of ultrathin SiO2 layers used in nanofabrication , Jpn. J. Appl. Phys., 36,  7777- 7781, 1997年12月01日,  
21
Selective thermal decomposition fo ultrathin silicon oxide layers induced by electron-stimulated oxygen desorption , Appl. Phys. Lett., 71,  1038- 1040, 1997年08月25日,  
22
Observation of oxide/Si(001)-interface during layer-by-layer oxidation by scanning reflection electron microscopy , Appl. Phys. Lett., 71,  885- 887, 1997年08月18日,  
23
Observation of selective thermal desorption of electron stimulated SiO2 with a combined scanning reflection microscope/scanning tunneling microscope , J. Appl. Phys., 82,  639- 643, 1997年07月15日,  
24
Nanofabrication using selective thermal desorption of SiO2/Si induced by electron beams , J. Vacuum Science and Technology, A15,  1493- 1498, 1997年06月01日,  
25
Microprobe RHEED/STM combined microscopy , Surface Review and Letters, 4,  535- 538, 1997年01月01日,  
26
A combined apparatus of scanning reflection electron microscope and scanning tunneling microscope , Rev. Sci. Instrument, 68,  116- 119, 1997年01月01日,  
27
Self-organized Ge clustering on partially Ga-terminated Si(111) surfaces , J. Appl. Phys., ( 83), 205- 211, 1997年01月01日,  
28
Effect of hydrogen molecules on growth rates of GaAs in gas source molecular beam epitaxy , J. Crystal Growth, 97,  578- 582, 1997年01月01日,  
29
Microstructure fabrication using oxidation on partially Ga-terminated Si(111) surfaces , Appl. Phys. Lett., 69,  1382- 1384, 1996年09月02日,  
30
Nanosturcture fabrication using the selective thermal desorprtion of SiO2 induced by electron beams , Appl. Phys. Lett., 69,  638- 640, 1996年07月29日,  
31
Surfactant-mediated epitaxy of Ge on partially Ga-terminated Si(111) surfaces , Appl. Phys. Lett., 68,  2213- 2215, 1996年04月15日,  
32
Periodical nanostructure fabricaton using electron interface fringes produced by scanning interference electron microscope , Appl. Phys. Lett., 66,  2754- 2756, 1995年05月15日,  
33
Symmetric InP mirror facets fabricated by selective chemical beam epitaxy on reactive-ion etched sidewalls , J. Crystal Growth, 150,  399- 403, 1995年01月01日,  
34
Fabrication of smooth facets of InP by selective sidewall epitaxy using CBE , Applies Surface Science, 82/83,  80- 84, 1994年01月01日,  
35
Extremely smooth vertical facets for InP formed by reactive ion etching and selective CBE regrowth , J. Crystal Growth, 145,  675- 679, 1994年01月01日,  
36
Selectively embedded growth by chemical beam epitaxy for the fabrication of InGaAs/InP double-heterostructure lasers , J. Crystal Growth, 140,  277- 281, 1994年01月01日,  
37
Threshold height for movement of C60 molecules on Si(111)-7x7 with a scanning tunneling microscope , Appl. Phys. Lett., 63,  1339- 1341, 1993年09月06日,  
38
Optical properties of InGaAs/InP double-heterostructures selectively grown by chemical beam epitaxy , J. Crystal Growth, 136,  246- 249, 1992年01月01日,  
39
Selective embeded growth of InGaAs/InP double-heterostructures by chemical beam epitaxy , J. Crystal Growth, 125,  502- 508, 1992年01月01日,  
40
Characteristics of carbon incorporation in GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy , J. Crystal Growth, 100,  5- 10, 1990年01月01日,  
41
Transient behavior in RHEED intensity oscillations observed in chemical beam epitaxy of InP , J. Crystal Growth, 105,  221- 226, 1990年01月01日,  
42
Analysis of dynamic characteristics of double barrier diodes: a sequential tunneling approach , Superlattices and microstructures, 6,  73- 76, 1989年01月01日,  
43
Gas source MBE growth of InP , J. Crystal Growth, 95,  176- 180, 1989年01月01日,  
44
Electrical and optical properties of silicon doped InP grown by gas source MBE , J. Crystal Growth, 104,  457- 462, 1989年01月01日,  
45
Observations on intensity oscillations in reflection high-energy electron diffracton during gas source molecular beam epitaxy of InP , Appl. Phys. Lett., 53,  42- 44, 1988年07月04日,  
46
Growth mechanisms of molecular beam epitaxy of InP and GaAsxP1-x using low energy P+ ion beam , Surf. Sci., ,  335- 344, 1988年01月01日,  
47
Electrical and optical properties of InP grown by MBE using P+ ion beam , J. Crystal Growth, ,  215- 220, 1988年01月01日,  
48
Silicon epitaxial growth by the radical beam of glow-discharge decomposed Silane , Jpn. J. Appl. Phys., 23,  L865- L867, 1984年11月,  
49
角度分解電子エネルギー損失分光法によるSi表面の水素化に関する研究 , 学位論文, ,  1- 85, 1983年03月01日,  
50
Ag/Si(111)-7x7 systems investigated by angle-resolved electron spectroscopy , Surf. Sci., ,  55- 58, 1983年01月01日,  
51
Electronic structures of the monohydride (2x1):H and the dihydride (1x1):2H Si(100) surfaces studied by angle-resolved electron-energy-loss spectroscopy , Phys. Rev. B, ,  4110- 4116, 1983年01月01日,  
52
Ag adsorbed surfaces on Si(111) studied by angle-resolved electron energy loss spectroscopy , Solid State Commun., ,  55- 58, 1983年01月01日,  
53
Surface plasmon dispersion of Ag adsorbed Si(111) surfaces studied by angle-resolved electron energy loss spectroscopy , Jpn. J. Appl. Phys., 20,  L37- L39, 1983年01月,  
54
Room temperature hydrogenation of the Si(001)2x1 surface studied by angle-resolved electron energy loss spectroscopy , Surf. Sci., 123,  18- 28, 1982年09月16日,  
55
Inelastic low energy electron diffraction measurements of hydrogen adsorbed Si(001) surafces 2x1:H and 1x1:2H , Jpn. J. Appl. Phys., 22,  L263- L265, 1982年05月,  
56
Enhancement of surface plasmon excitaion by low energy electron due to surface resonance on Si(001)-2x1 , Jpn. J. Appl. Phys., 20,  L189- L191, 1982年04月,  
57
Dispersion of suface-plasmon at clean Si(001)-2x1 surface , Jpn. J. Appl. Phys., 20,  L745- L748, 1981年10月,  

 

口頭発表
No.講演・口頭発表タイトル, URL, 発表機関, 発表年月日, 誌名, 巻( 号), 開始ページ- 終了ページ, 出版年月(日) 
1
Self-aligned pocket implantation into elevated source/drain MOS FETs for reduction of junction capacitance and leakage current, , 2000 SSDM, 2000年01月01日, , ,  52- 53,   
2
Low resistance Co-salicided 0.1 um CMOS technology using selective Si growth, , Tech. Dig. 1999 Symp. VLSI Technology, 1999年01月01日, , ,  55- 57,   
3
Oxidation of partially Ga-terminated Si(111) surfaces, , ECOSS-16, 1996年01月01日, , ,  775- 777,   
4
Nanoscale manipulation of C60 with a scanning tunneling microscope, , MNE'94, 1994年01月01日, , ,  39- 42,   
5
Molecular beam epitaxy of GaAsxP1-x using low energy P+ ion beam, , Electronic Materials Conf., 1987年01月01日, , ,  21- 24, 1987年01月01日 
6
Molecular beam epitaxy of InP using low energy P+ ion beam, , 4th Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy, 1986年01月01日, , ,  338- 343,